ККОНЦЕПЦИЯ СОЗДАНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ 4 D ГОЛОГРАФИЧЕСКИХ ЛОКУСОВ НОВОГО ТИПА ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ – КАК НОСИТЕЛЯ И ХРАНИЛИЩА РАЗНООБРАЗНЫХ МОДУСОВ ЗАКОНСЕРВИРОВАННЫХ ЗАПУТАННЫХ КВАНТОВЫХ СОСТОЯНИЙ

*АКСИОЛОГИЯ – (от греч. axia — ценность и logos — учение) — филос. дисциплина, исследующая категорию «ценность», характеристики, структуры и иерархии ценностного мира, способы его познания и его онтологический статус, а также природу и специфику ценностных суждений. Термин «А.» введен в 1902 фр. философом П. Лапи, а в 1904 использовался уже в качестве обозначения одного из разделов философии Э. фон Гартманом.

Технологию необходимо разделить на два условных этапа:

1. Процесс регистрации информации о физических свойствах материального объекта (активной субстанции) (схема 1, рис.1).

2. Процесс воспроизведения и трансляции информации о физических свойствах материального объекта (активной субстанции) (схема 2, рис. 2.).

Новая технология является одним из технических решений опубликованных в [1-8] и в некоторой проекции базируется на исследованиях [9-15].

Краткое рассмотрение содержания технологического процесса, на примере кристаллов приведенных на схеме рис. 2.11.

1. Процесс регистрации информации о физических свойствах материального объекта (активной субстанции) — (схема 1, рис.1). На схеме:

1 — Когерентное монохроматическое импульсное излучение в УФ, видимом и ИК диапазонах. Мощность импульса для данных активных сред (15) 10-10⁷ МВт.

2 — Излучение ИК диапазона.

3 — Излучение видимого диапазона.

4 — Излучение УФ диапазона.

5 — Колебания атомов и (или) ионов кристаллической решётки.

6 — Электроны периодической атомной решётки.

7 — Фононы кристаллической решётки.

8 — Экситоны Френкеля (возбуждение электронной системы отдельных молекул).

9 — Неразрушающий пробой кристалла гигантским лазерным импульсом вызывающим ударную ионизацию.

10 — Флуктуон (фазон).

11 — Ударная волна, возникшая в результате ударной ионизации в момент (12).

12 — Фазовый переход в плазменное состояние.

13 — Фонон, рождённый при переходе ударной волны в акустическую при удалении от места фазового перехода.

14 — Область взаимодействия коллективных процессов, фиксируемая в виде пластического дефекта (дислокации).

15 — Кристаллы (например, сапфир – Al₂O₃ с примесью Fe; железоиттриевый гранат – Y₃Fe₅O₂; кварц – SiO₂; ниобат лития – LiNbO₃ и т.п.).

16 — Активная субстанция.

17 — Зазор между кристаллами.

Два зеркально-отображённые кристалла (15) соединяются контактно таким образом, что между ними имеется воздушный зазор (17) шириной соизмеримой с длиной волны падающего излучения, помещаются в контейнер заполненный активной субстанцией (16) и облучаются когерентным, монохроматическим излучением (1), причем каждая грань одного из кристаллов подвергается воздействию в инфракрасном (2), видимом (3) и ультрафиолетовом (4) диапазонах. Облучение каждой грани необходимо в связи с тем, что кристалл обладает анизотропией и его физические свойства в различных направлениях не тождественны. Кристалл (в силу некоторых особенностей) должен быть огранён – желательно – как тетраэдр, гексаэдр, октаэдр – рисунок «А».

Рис. «А». – с ресурса: http://news-cyber.ru/uchenye-prevratili-kristall-v-perezapisyvaemuyu-elektronnuyu-shemu/ – см. примечание*

*- примечание: «Группа ученых из университета штата Вашингтон (Washington State University, WSU) нашла достаточно простой способ «записи» элементов электронных схем на поверхности кристаллического основания. Этот способ открывает возможность изготовления прозрачных трехмерных электронных устройств, схему которых можно изменять, «перезаписывая» и подстраивая ее под особенности решения какой-либо конкретной задачи.

В обычных условиях используемые кристаллы титаната стронция (SrTiO3) не проводят электрического тока. Но когда исследователи произвели выборочный нагрев определенных участков поверхности кристалла при особых условиях, структура участков изменилась и эти участки стали электропроводными. При этом, тепловая обработка участков кристалла увеличила удельную электрическую проводимость материала в 1000 раз. «Стирание» записанной ранее схемы производится также путем нагрева кристалла до определенной температуры и воздействия на него светом с определенными параметрами. А наиболее интересным во всем этом является то, что процесс обработки кристалла проводится при комнатной температуре.

«Этот процесс открывает мир новой электроники, элементы схем которой создаются оптическим способом на поверхности кристалла» — рассказывает Мэтт Маккласки (Matt McCluskey), профессор физики и материаловедения университета штата Вашингтон, — «Но самым главным является то, что имеется возможность стирания уже созданной схемы и повторной записи новой схемы на этом же месте».

И в заключение следует отметить, что технология «перезаписываемых» электронных кристаллов может быть полезна не только для создания электронных устройств. На ее основе можно будет создать новый тип энергонезависимой памяти, различные типы электронных и оптических датчиков и многое другое.»

Рис. 1. Схема 1. Технология регистрации информации о физических свойствах активной субстанции

ов (ионов) и молекул кристалла из положения равновесия, сопровождающиеся образованием квазичастиц фононов (7). В связи с хаотичностью направлений колебаний атомов (ионов) кристаллической решётки фононы могут интерферировать между собой с образованием стоячих волн (7). Согласно явлению рассеяния Мандельштам-Бриллюэна, падающая световая волна модулируется на сложной периодической структуре, образованной интерферирующими фононами. Модулированная световая волна, в свою очередь, возбуждает волны смещения и.т.д. В результате формируется сложная периодическая структура, которая закрепляется образованием соответствующих пластических дефектов. На этих дислокациях рассеивается, модулируясь порция квантов следующего импульса. Так пошагово идет образование все более сложных периодических структур — дефектов, фиксирующихся в кристалле в виде дислокаций.

При падении когерентного монохроматического излучения ультрафиолетового оптического диапазона определённого спектра в кристалле возбуждаются электронные системы отдельных молекул, мигрирующие по кристаллу, но не связанные с переносом электрического заряда и массы, то есть квазичастицы, называемые экситонами (8), которые интерферируют между собой с образованием сложных периодических структур меньшего масштаба.

Экситоны, взаимодействуя с фононами, вносят структурные поправки в образование сложных периодических взаимосвязанных структур, численность которых возрастает при каждом следующем шаге нового возбуждения, что дополнительно усложняет картину образования и фиксации дислокаций.

Кроме того, в коллективные процессы в кристаллах, полупроводниках и других активных средах вносят соответствующие поправки следующих видов взаимодействий, не отражаемые в описании и на схемах:

• спин-орбитальное взаимодействие;
  
• спин-фононное взаимодействие;
  
• электрон-фононное взаимодействие;
  
• фотон-фононное взаимодействие;
  
• фотон-экситонное взаимодействие;
• магнон-фононное и.т.п. квантовые взаимодействия частиц и квазичастиц.

Перечисленные взаимодействия вносят дополнительные поправки в структурную сложность образующихся с каждым следующим шагом пластических дефектов.

При неразрушающем пробое (9) кристалла гигантским лазерным импульсом в зазоре между кристаллами активная субстанция скачкообразно переходит в другое агрегатное состояние (плазму (12)) с возникновением ударной волны (11), эпицентр которой расположен вблизи границы раздела между двумя кристаллами. По мере удаления от эпицентра квазичастицы возбуждения (флуктуоны-фазоны (10)) превращается в фононы (13) (акустические волны). Эти волны, в свою очередь, интерферируют со сложными периодическими структурами (14) (возбуждениями, находящимися вблизи дислокаций и описываемыми квазичастицами, называемыми дефектон), образованными в кристалле ранее в процессе воздействия.

С последующим шагом импульсного лазерного излучения в кристалле формируются еще более сложные структуры (пластические деформации (14)), несущие информацию о физических свойствах активной субстанции (16), являющиеся по сути голограммами внутри кристалла, несущими полную информацию о физических, химических, биологических и иных свойствах активной субстанции (16), которые не зависят от агрегатного состояния вещества (16). Кроме того, после лазерного пробоя, с возникновением ударной волны, сумма коллективных процессов и образование дефектов, нарастает лавинообразно. Образуется некоторая сумма коллективных взаимодействий, корректно описать которую в настоящем изложении не представляется ни возможным, ни необходимым.

После финального шага обработки кристалл готов к употреблению как устройство для трансляции полной информации о свойствах активной субстанции (материального объекта) — (16).

2. Процесс воспроизведения и трансляции информации о физических свойствах материального объекта (активной субстанции) (схема 2, рис. 2.). На схеме:

1 — Некогерентное естественное или искусственное излучение.

2 — Излучение ИК диапазона (в том числе спектре некогерентного излучения).

3 — Излучение видимого диапазона (в том числе в спектре некогерентного излучения).

4 — Излучение УФ диапазона (в том числе в спектре некогерентного излучения).

5 — Пластические дефекты (дислокации) организованный как периодическая структура («дифракционная решётка»), несущая информацию о физических, химических, биологических и иных свойствах активной субстанции и возбуждаемые световым потоком квазичастицы — фононы, экситоны, поляроны, поляритоны и.т.п.

6 — Фононы, образованные в результате взаимодействия некогерентного излучения с пластическими дефектами и являющиеся квантами информации о физических, химических, биологических и иных свойствах активной субстанции.

7 — Материальный объект.

8 — Гиперзвуковые волны, создаваемые фононами(6).

9 — Кристаллы (например, сапфир с примесью ; железоиттриевый гранат ; кварц ; ниобат лития и т.п.).

На подготовленный кристалл (9) (см.п.1) падает некогерентная естественная или искусственная электромагнитная волна (свет) (1). В этой волне содержатся спектральные составляющие ИК (2), видимого (3) и УФ (4) диапазонов. Волна (1), взаимодействуя с пластической деформацией (5) (дислокацией), содержащей полную информацию об активной субстанции (16) — на схеме 1, и по сути являющейся зарегистрированной динамической

пространственно-временной 4 D – голограммой в кристалле (в отличии от пространственной 3 D записи – на рисунке «В»), создаёт вторичные акустические волны (8) (гиперзвук), которые взаимодействуют с материальным объектом (7), индуцируя необходимую информацию для инициации соответствующих процессов.

Рис. «В». – с ресурса: https://coincripto.net/13645-gmo-zapustit-prodazhu-7-nm-chipov-dlya-mayninga-btc.html – см. примечание*

Рис. 2. Схема 2. Технология воспроизведения и трансляции информации о физических свойствах активной субстанции

Включаясь в механизмы отражения, рассеяния, поглощения и преломления, с возбуждением всей суммы коллективных процессов протекавших в кристалле на финальном шаге обработки, в момент фазового перехода активной субстанции (16) – на схеме (1) и лавинообразного нарастания коллективных процессов, сумма сложных дислокаций (5), при дифрагировании на них световых лучей, полностью восстанавливает волновой фронт, огибающая которого, условно говоря, равна сумме паттернов спектрального состава всех коллективных процессов, рожденных в кристалле в момент ударной ионизации вещества активной субстанции (16) и взаимодействия с квазичастицами, рожденными ударной волной и несущими информацию о физических, химических, биологических и иных свойствах вещества активной субстанции (16) — на схеме (1), в соответствии со спектральным составом (16) в момент фазового перехода.

Регистрация и восстановление волнового фронта находится в полном соответствии с принципами голографии, с той лишь разницей, что роль опорной волны играет возбуждающее излучение, а предметной — отраженные, рассеянные и преломленные волны световых лучей в теле кристалла. Роль опорной волны в том числе, играет спектр естественного или искусственного некогерентного освещения, модулированного коллективными процессами в кристалле, формируя, таким образом, двух- опорный режим голографической технологии, причём опорные волны являются в этой схеме так же и предметными.

Таким образом, воздействие на материальный объект (7), происходит как посредством восстановленного волнового фронта световых волн соответствующего диапазона, содержащегося в спектре естественного и (или) искусственного падающего освещения (1) модулированного спектром финального шага коллективных процессов, так и посредством вторичных звуковых волн (8) модулирующих световые волны.

Образно выражаясь, кристалл после обработки, под воздействием световых лучей, воспроизводит «музыкальную композицию с цветомузыкой» на заданную в процессе обработки кристалла тему и воспринимается органическими полупроводниками и биологическими кристаллами живого вещества в том случае, если под материальным объектом (7) подразумевается биологический объект.

В технологии могут быть применены другие активные среды, например, полупроводники типа: Si, Ge, а также соединения типа — А₃ В₅ — (In Sb) и.т.п., а также их разнообразные сочетания. В этих случаях методы обработки и применения, равно как и сумма коллективных процессов, происходящих в материалах в их взаимодействии, будут отличаться от вышеописанных и представленных на схемах (1), (2) (рис. 1, 2).

Технология может быть применена в зависимости от свойств взаимодействующей с кристаллом активной субстанции, во всех сферах практической деятельности, касающейся трансляции информации о физических, химических, биологических и иных свойствах от одного материального объекта другому и подразделяется условно на 4 фазы:

1. Фаза возбуждения коллективных процессов в материале (15) при падении возбуждающего излучения (1) — на схеме (1).

2. Фаза возбуждения коллективных процессов в активной субстанции (16) при лазерном пробое (9), с переходом активной субстанции в плазму (ударная ионизация) — (12) и возникновением ударной волны, распространяющейся в тело кристалла — на схеме (1).

3. Фаза переноса информации о свойствах активной субстанции в тело кристалла, за счет включения фононов рожденных ударной волной (13) в коллективные процессы в кристалле и кодирование данной информации в структуре пластических дефектов кристаллической решетки — дислокаций (14) — на схеме (1).

4. Фаза считывания и трансляции зарегистрированной информации в дислокациях (5), в виде гиперзвуковых волн (8), на материальный объект (7), которая происходит как посредством восстановленного волнового фронта световых волн соответствующего диапазона, содержащегося в спектре естественного и (или) искусственного падающего освещения (1) модулированного спектром финального шага коллективных процессов, так и посредством вторичных звуковых волн (8) модулирующих световые волны — на схеме (2).

1. Свидетельство о регистрации и депонировании произведения — объекта авторских (смежных) прав №300. Технология регистрации и трансляции информации о физических свойствах материальных объектов, основанная на специальном способе обработки кристаллов, полупроводников и др. активных сред / Гаврилов В.Ю., Неганов В.А., Осипов О.В., Пряников И.В., Савранский В.В. Зарегистрировано в Реестре за №1100300 от 07.02.2007 ООО «Юридическая фирма Городисский и Партнёры»].
2. Гаврилов В.Ю., Клюев Д.С., Неганов В.А., Осипов О.В., Пряников И.В. Зеркальная реальность (nanometa). – Самара: ИУНЛ ПГУТИ, 2014. – 256 с.
3. Гаврилов В.Ю., Клюев Д.С., Неганов В.А., Осипов О.В., Пряников И.В. Зеркальная реальность (nanometa). – Самара: ИУНЛ ПГУТИ, 2014. – 256 с.
4. Свидетельство о регистрации и депонировании произведения — объекта авторских (смежных) прав №А193. Принципы устройств дистанционного управления функциональным состоянием материальных объектов и квантово-компьютерная система управления / Гаврилов В.Ю., Гинзбург Габриэль, Колобаев М.В. Зарегистрировано в Реестре за №А193 от 12.11.2004 ООО «Юридическая фирма Городисский и Партнеры».
5. Свидетельство о регистрации и депонировании произведения — объекта авторских (смежных) прав №303. Определение физико-математических основ для разработки систем управления эколого-геофизическими параметрами / Гаврилов В.Ю., Пешин С.В., Пряников И.В. Зарегистрировано в Реестре за №1100303 от 22.02.2007 ООО «Юридическая фирма Городисский и Партнеры».
6. Ардатов С.В., Ардатова А.С., Гаврилов В.Ю. К вопросу о новых физических принципах действия при физиотерапевтических процедурах для стимуляции ускоренного репаративного остеогенеза // Современные научные исследования и инновации. 2019. № 1 [Электронный ресурс]. URL: http://web.snauka.ru/issues/2019/01/88652 (дата обращения: 09.02.2019).
7. Ардатов С.В., Ардатова А.С., Гаврилов В.Ю. Конвергентный способ телепортации состояний основанный на природоподобном использовании биологических объектов // Современные научные исследования и инновации. 2019. № 2 [Электронный ресурс]. URL: http://web.snauka.ru/issues/2019/02/88653 (дата обращения: 09.02.2019)
8. Ардатов С.В., Ардатова А.С., Гаврилов В.Ю., Гаврилова А.В. Схема телепортации информации в мезоскопическом (электродинамическом) пространстве событий – финал трилогии // Современные научные исследования и инновации. 2019. № 4 [Электронный ресурс]. URL: http://web.snauka.ru/issues/2019/04/89001 (дата обращения: 05.04.2019).
9. Анфимова Е. А. Нелинейные кристаллы с доменной структурой для параметрической генерации света // Оптика атмосферы и океана : журнал. — 2006. — Т. 19. — № 11.
10. Mallik T., et al. Synthesis, crystal structure and solubility of C6H14N4O2,C4H4O4,2H2O // Science and Technology of Advanced Materials : журнал. — 2005. — В. 5. — Т. 6. DOI:10.1016/j.stam.2005.01.001
11. Natarajan S., et al. Crystal growth and structure of L-methionine L-methioninium hydrogen maleate — a new NLO material // Science and Technology of Advanced Materials : журнал. — 2008. — В. 2. — Т. 9. — DOI:10.1088/1468-6996/9/2/025012
12. Бурлаков А. В., Клышко Д. Н. Поляризованные бифотоны как «оптические кварки» // Письма в ЖЭТФ : журнал. — 1999. — В. 11. — Т. 69.
13. Хартиков С. ЭПР-пары фотонов, перепутанные по поляризации. Проверено 12 сентября 2011 – по материалам с http://ru.wikipedia.org/wiki/%CA%E2%E0%ED%F2%EE%E2%E0%FF_%E7%E0%EF%F3%F2%E0%ED%ED%EE%F1%F2%FC.
14. Irvine W., Bouwmeester D. Linked and knotted beams of light // Nature Physics : журнал. — 2008. — № 4. — DOI:10.1038/nphys1056 – см. также: Популяризованное изложение на русском языке: Физики завязали свет узлом. Лента.Ру. Архивировано из первоисточника 5 февраля 2012. Проверено 13 сентября 2011.
15. Cramer J. G. The transactional interpretation of quantum mechanics // Reviews of Modern Physics : журнал. — 1986. — В. 3. — Т. 58. — DOI:10.1103/RevModPhys.58.647

Все статьи автора «Ардатова Анастасия Сергеевна»